1.引言

　　近几年电子工业大规模发展，半导体集成电路被广泛应用于各个工作领域，国家在政策和经济上给予了大力支持，使得国内半导体材料企业如雨后春笋般大量成立。在短时间内使半导体市场供过于求，各企业竞争激烈，优胜劣汰，不少企业不注重产品质量，在追求量产的道路上越走越远，加速了企业的淘汰和破产。究其原因，量产短时间内能够使企业快速发展，赢得市场和利润，使得很多企业趋之若鹜，进入了不良的竞争，一味地追求产能，追求价格低廉，薄利多销，最终在市场不仅仅满足价格的基础上，大批企业遭遇了困境。而一些企业严把质量关，改进生产工艺，调整产业结构，使产品具有更大的价值，领跑行业的前列。

2.半导体简介与直拉法单晶的生产过程

　　2.1半导体的导电原理：

　　本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体，也就是单质半导体。本征半导体的导电性能很差，当向其中掺杂微量的杂质离子时，半导体的导电性会明显变化，就是杂质半导体。使半导体导电的因素有：

　　a杂质浓度，浓度越高导电性越强

　　b温度，温度越高导电性越强

　　c光照、外场作用等影响

　　2.2直拉单晶生长法

　　直拉硅单晶（CZ/MCZ单晶），这是单晶生长中最常用的一种方法，大多数企业采用的都是这种方法,广泛应用于半导体集成电路、二极管、太阳能。

　　a装料

　　明确装料操作流程和方法，保证开炉效果，避免开炉因装料而导致的挂边，断苞等不良情况，提高成晶率。

　　套上一次性套袖，戴上汗布手套和一次性手套，先用一些粒径大于40mm的块料铺在石英锅底（注意料的光滑面与石英坩埚接触），禁止使用碎料或粒径小于30mm的料铺底，块料较大的放在底料上面，用小块料填缝补平。大块料必须放在石英坩埚2/3以下，面接触，2/3以上严禁放置直径超过80mm块料，2/3以上块料点接触坩埚，防止挂料和架桥。装完的料尽量往中间靠拢，呈山型，重心向内，防止滚落。装入一半原料时，将合金包打开，放在料中间，上面压一些大块料。放入导流筒，确认料、锅、导流筒没有接触。

　　b拉晶作业

　　规范细节操作，避免异常事故，提高生产率，杜绝和减少工伤事故，实行安全生产，确保产品质量满足要求。

　　拆清炉前准备→取单晶→拆清炉→领料装料（电阻率测算，放入合金）→抽空→检漏→化料→高温烘烤→沾渣，拉小头→测电阻率→掺杂→稳温→引晶→放肩→转肩保持→等径→收尾→停炉→记录停炉真空和漏率→炉体冷却。

　　稳温后需矫正热场温度和液面温度，若热场测量值低于700Unites，需查看取光孔是否对正，取光玻璃是否发黑。拉晶前需对籽晶进行预热，然后侵入液面过热，籽晶充分熔接，否则容易导致晶变。引晶细径应保持在2.5-3.5mm左右，并且细径表面均匀，长度大于需拉直单晶直径的1.2倍，平均拉速控制在200-300mm/hr。放肩如果温度过高时，可以手动给温补，一般降10-15SP/hr。转肩时拉速控制在140-220mm/hr,防止拉速过高或者过低造成断苞和转肩失败。等径阶段需每100mm测量一次直径，防止直径跑粗或跑细，注意直径信号是否....