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碳化硅（SiC)迎来爆发！盘点今年1月份国外SiC的最新进展及技术
新年伊始，在半导体领域，从工业界到学术界碳化硅(SiC)技术已经出现了许多二甲基硅油乳液头条新闻中。
在过去几年中，宽带隙半导体的崛起已经得到了充分的证明。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等新型半导体材料提供了更高的速度、效率和工作条件，已被证明在高压应用中非常有用。这些应用包括电力电子、电动汽车等。
SiC vs. GaN vs. SI
2021年至今的一个月之内，SiC技术已经出现在了许多头条新闻中，横跨工业界和学术界。
例如，本月ROHM半导体公司宣布，为提高公司的SiC产能而专门建造的新工厂竣工。新工厂将采用最先进的SiC制造技术，以提高生产效率、扩大晶圆直径和增加产量，新工厂旨在将二氧化碳排放量比传统工厂降低20％。
ROHM的筑后市工厂
仅在本月，就有多家研究机构和半导体供应商发布了基于SiC的新进展，这些新成果可能会克服这个WBG的制造和设计挑战。
SiC可以走多远
在学术界，2021年一个引人注目的SiC头条新闻来自名古屋工业大学的最....
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