背景及概述[1]

随着超大规模集成电路（ULSI）的快速发展，设备和器件尺寸越来越小，人们对器件尺寸和薄膜的质量和厚度均匀性的要求也越来越高。目前半导体器件的线宽已小至0.1μm以下，原工艺此时已无法得到低电阻的连续导线。必须寻找新的材料、新的工艺和新的沉积体系，来改进或者替代铝与重掺杂多晶硅用于电路金属化连接。在这些新材料中，人们对具有高导电性和高温稳定性，而且与目前微电子制造工艺相配的金属硅化物的兴趣大增。在目前广泛研究的金属硅化物（如：TiSi2、NiSi、CoSi2、WSi2、TaSi2、MoSi2）中，硅化钛（TiSi2）具有非常理想的特性：高的导电性，高的选择性，好的热稳定性，对Si好的吸附性，好的工艺适应性和对硅连接参数的低干扰。因此，在集成电路器件中，硅化钛被广泛应用于金属氧化物半导体（MOS），金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和动态随机存储器（DRAM）的门、源/漏极、互联和欧姆接触的制造当中。

应用[2-5]

硅化钛被广泛应用于金属氧化物半导体（MOS），金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和动态随机存储器（DRAM）的门、源/漏极、互联和欧姆接触的制造当中，其应用举例如下：

1）制备一种硅化钛阻挡层，采用所述硅化钛阻挡层的制作方法的器件包括由隔离区隔开的non-silicide区域和silicide区域，器件上表面覆盖有一层牺牲氧化层，本发明包括：采用光刻工艺....