背景及概述[1]

金属硅化物有着类似金属的导电性能、高温性能、抗氧化性能和与硅集成电路的生产工艺相容性.过渡金属硅化物可用于低电阻栅门和内连线、肖特基栅、电阻接触。硅化钽制备方法包括：燃烧合成法(combustionsynthesis，CS)或自蔓延高温合成法、电弧熔炼法等。燃烧合成法或自蔓延高温合成法是一种利用元素／化合物反应放热来合成金属间化合物的方法。它具有设二甲基硅油乳液备简单、所需能耗低、合成时间短等优点，其主要缺点是反应速度快，过程控制难，容易存在杂相。硅化钽的燃烧合成需要预热才能引发反应实现合成，但存在二硅化物以外的相。电弧熔炼法一般需要较长均匀化时间，同时在熔炼过程中由于挥发造成的硅损失可能导致一些杂相的生成。等离子体喷涂技术因其射流温度高达10000℃，射流速度达300-400m/s，集高温熔化、快速凝固和近净成形等优势于一体，并且该技术不受形状或尺寸限制，易于实现其短流程制备成形，逐渐发展成为一种新型的零部件成形技术，已经被用来制备一些零部件。利用等离子喷涂技术制备将硅化钽粉制成块材，这需要高纯的硅化钽粉末作为原料。因此，如何获得高纯度硅化钽（没有杂相生成）粉末成为关键。

应用[2-4]

硅化钽具有高熔点、低电阻率、抗腐蚀、抗高温氧化性以及与硅、碳等基体材料具有良好的兼容性等优异性能，作为栅材料、集成电路的连结线路、高温抗氧化涂层等，在....