概述[1]

一氧化硅是一种宽带隙半导体光学材料，广泛用于真空镀膜；D-T核反应绝对截面量囚禁放射性氘的气体靶窗；激光增透膜和反射膜；无线电元件、玻璃、塑料和纸类等基体的保护膜、绝缘膜，及装饰膜的原料．由于SiO的生产条件苛刻，而多限于实验室制备，不能满足市场需要。

制备方法

制备流程为原料—纯化—配料—预制反应物成形—进料—加热抽真空—反应—冷却—出样—产品。制备条件为采用汽化沉积法．其反应式为：SiO2＋Si→2SiO．根据文献报道，化学反应条件为：压力不小于0．075Pa，温度1250℃～1340℃，反应时间4小时，用金属钼为材料制作反应加热器和接收器，并在其中收集产品．我们在批量生产过程中，用金属镍代替昂贵、脆性的钼作内层反应容器，采用低真空条件，并在反应温度和反应时间上进行了合理调试．在原料反应之前抽气和加温同时进行，通过控制扩散泵的工作状态调整真空度，当达到化学反应温度时，反应压力只需控制在10Pa左右，且稳定至反应结束．于降温过程停止抽气后维持真空状态直到取出产品时放气．化学反应温度控制1360℃以内，反应时间不少于5小时。

高纯一氧化硅油厂家硅的提取方法[2]

高纯一氧化硅的提取方法主要包括高纯二氧化硅的提取、高纯硅粉制取、合成一氧化硅。第一部分高纯二氧化硅的提取的工艺流程如下图所示。

具体操作步骤为（1）原料提纯，将化学纯 正硅酸乙酯加到装有重齿型分馏柱及冷凝管的密封式电热不锈钢反应锅中，进行高效精馏，....