近年来，对各类层状材料的研究日趋火热，这源自于2004年石墨烯材料的成功制备以及二维层状材料较块体材料所不具备的新颖特性和尚待发掘的无限应用前景。石墨烯作为最早被开发的层状二维材料，由于是极佳的导体，缺少带隙，因此很大程度限制了其在半导体器件和数字电子领域的应用。然而，具有层状结构的过渡金属硫化物(TMDs)，在二维形态下会显现出直接带隙，所以极大填补了在半导体工业中难以应用石墨烯材料的空白。

    二硫化钼MoS

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作为TMDs家族中的重要成员已经被广泛研究，尤其运用化学气相沉积法(CVD)制备MoS

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是当前最为常用的工艺之一。然而，世界上各实验室所制备的二维MoS

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薄膜在形态和性能上存在较大差异、缺少重复性，并且对MoS

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在CVD过程中的生长机理缺乏认识，因此无法进一步有效设定MoS

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和其他TMDs二维材料生长的工艺参数。基于以上考虑，如何提高CVD工艺的可靠性以及对MoS

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在此工艺下成核和生长机理的探索是一个急待研究的课题。 

    近日，浙江大学高分子科学与工程学系、硅材料国家重点实验室陈红征教授团队的徐明生教授研究小组在二维硫化钼化学气相沉积(CVD)生长方面有新的发现，相关工作“Elucidation of Zero-Dimensional to Two-DimensionalGrowth Transition in MoS

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Chemical Vapor Deposition Synthesis”发表在10月24日的....